RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3047
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641160 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link