RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3774
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link