RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
47
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
20
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3429
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link