RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3800
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link