RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
86
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
86
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
1658
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link