RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3357
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link