RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
65
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
1824
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link