RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2750
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link