RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3555
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link