RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2984
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link