RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3040
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link