RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3694
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link