RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
72
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
72
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1951
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link