RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
71
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
1979
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link