RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3119
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link