RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3279
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link