RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2984
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link