RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2984
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link