RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1660
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link