RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3119
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX16 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link