RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3701
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link