RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
20
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3162
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link