RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2987
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link