RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3697
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link