RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3731
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link