RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2561
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link