RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
74
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
74
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1779
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link