RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
104
Wokół strony -512% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link