RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3124
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link