RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2688
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link