RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3409
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link