RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3488
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link