RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3942
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link