RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3614
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link