RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3744
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link