RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
104
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2138
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link