RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3415
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link