RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3664
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link