RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
81
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
81
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1554
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link