RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3129
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link