RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3781
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link