RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2635
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link