RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
74
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1901
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lenovo 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link