RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2971
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link