RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
74
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2945
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link