RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3609
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link