RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
73
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2190
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link