RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
73
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3006
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link