RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
73
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2792
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link