RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
73
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2847
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link