RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3389
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link